Fotodiodo InGaAs de alta calidad 0.3mm 800-2600nm
Un dispositivo semiconductor fotoeléctrico para detectar y, a menudo, medir la energía radiante (como la luz).

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Realimentación
Caracteristicas
Bajo nivel de ruido, alta fiabilidad;
Rango de longitud de onda de 800-2600 nm de ancho;
Área activa de 0.3 mm;
Paquete hermético TO46 CAN o con acoplamiento de fibra.

Aplicaciones
Analizador de gas;
Medición del ambiente;
Sensor óptico, detección de temperatura;
Detección IR encubierta, espectrografía;
Análisis médico y químico;
Medidor de potencia óptica, equipo de detección de luz espacial.

Parámetros electro-ópticos

Parámetro

Símbolo

Unidad

Value(typ.)

Diámetro activo

Φ

mm

0.3

Rango espectral

λ

nm

800-2600

 

Receptividad

Re (VR=0.2V,λ=850nm )

 

mA/mW

0.21

Re (VR=0.2V,λ=1310nm )

0.45

Re(VR=0.2V,λ=2300nm)

1.3

Re(VR=0.2V,λ=2600nm)

0.23

Tiempo de respuesta

Tr (RL=50Ω, VR=0.2V)

ns

12

Corriente oscura

ID(VR=0V)

nA

40

ID(VR=0.2V)

300

Voltaje de ruptura inversa

VBR (IR=10uA)

V

2

Potencia óptica saturada

Ps(VR =0.2V)

mW

4

Tensión de funcionamiento

VR

V

0-0.2

paquete

Paquete hermético TO-CAN


Paquete

Paquete de cartón original;
Como requisito de clientes.

Envío
5-10 días hábiles después de recibir el pago;
Envío: Transporte aéreo (DHL / UPS / TNT / Fedex / EMS / CHINA POST);
La tarifa de envío depende del peso y tamaño.


Pago
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Para pedidos pequeños: se aceptan paypal.
 
Garantía
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