0.5mm InGaAs PIN-Diode TO-Box Optronics Technologieunternehmen

0.5mm InGaAs PIN-Diode TO

InGaAs-PIN-Fotodioden, die mit unserer einzigartigen, in-house-Verbindungshalbleiter-Prozesstechnologie entwickelt wurden, bieten Eigenschaften wie hohe Geschwindigkeit, hohe Empfindlichkeit und geringes Rauschen über einen Spektralbereich von 0,5 μm bis 5mm.

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Eigenschaften

Hohe Verantwortung und hohe Zuverlässigkeit,

Geringe Kapazität,

Niedriger Dunkelstrom,

TO46 flaches Fenster hermetisches Paket.

Anwendungen

Optisches Leistungs messgerät,

Laserentfernung,

Optischer sensor.

Elektrooptische Parameter

Parameter	Symbol	Bedingungen	Min.	Typ.	Max.	Einheit
Verantwortung@1550	R	Vr= 0V	0.95	1.00	-	A/W
Dunkle Strömung	Id	Vr= -5V	-	1	10	nA
Wellenlänge	λ	-	800	1550	1700	nm
Aktiver Bereich	φ	-	-	0.5	-	mm
Bandbreite	fc	-	-	-	-	GHz
Kapazität	C	Vr= -5V	-	12	13	pf
Betriebsspannung	Vr	-	-	-	-20	V
Betriebstemperatur	Top	-	-30	-	+65	℃
Lagertemperatur	Tst	-	-40	-	+85	℃

Paket

Original Kartonverpackung;

Als Anforderung der Kunden.

Versand

5-10 Werktage nach erhalten die Zahlung;

Versand: Lufttransport (DHL / UPS / TNT / Fedex / EMS / CHINA POST);

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Für große Aufträge: T/T, Kreditkarte;

Für kleine Bestellungen werden Paypal akzeptiert.

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Alle Produkte haben 1-3 Jahre Garantie. (Nach der Qualitätsgarantiezeit begann, angemessene Wartungsgebühr zu erheben.)

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