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0.5mm InGaAs PIN-Diode TO
InGaAs-PIN-Fotodioden, die mit unserer einzigartigen, in-house-Verbindungshalbleiter-Prozesstechnologie entwickelt wurden, bieten Eigenschaften wie hohe Geschwindigkeit, hohe Empfindlichkeit und geringes Rauschen über einen Spektralbereich von 0,5 μm bis 5mm.

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Descripción Feedback
Eigenschaften
Hohe Verantwortung und hohe Zuverlässigkeit,
Geringe Kapazität,
Niedriger Dunkelstrom,
TO46 flaches Fenster hermetisches Paket.

Anwendungen
Optisches Leistungs messgerät,
Laserentfernung,
Optischer sensor.

Elektrooptische Parameter

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min.

Typ.

Max.

Einheit

Verantwortung@1550

R

Vr= 0V

0.95

1.00

-

A/W

Dunkle Strömung

Id

Vr= -5V

-

1

10

nA

Wellenlänge

λ

-

800

1550

1700

nm

Aktiver Bereich

φ

-

-

0.5

-

mm

Bandbreite

fc

-

-

-

-

GHz

Kapazität

C

Vr= -5V

-

12

13

pf

Betriebsspannung

Vr

-

-

-

-20

V

Betriebstemperatur

Top

-

-30

-

+65

℃

 Lagertemperatur

Tst

-

-40

-

+85

℃


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