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850nm 0.5mm Si PIN Photodiode
Silizium-Photodioden mit hoher Empfindlichkeit und niedrigem Dunkelstrom sowie Silizium-PIN-Photodioden für Hochgeschwindigkeitsanwendungen.

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Descripción Feedback
Eigenschaften
Hohe Verantwortung und hohe Zuverlässigkeit,
Geringe Kapazität,
Niedriger Dunkelstrom,
TO46 flaches Fenster hermetisches Paket.

Anwendungen
Optische Leistungsmessung / -überwachung;
Optische Kommunikation;
Optischer sensor.

Elektrooptische Parameter

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min.

Typ.

Max.

Einheit

Verantwortung@900

R

Vr= 0V

-

0.60

-

A/W

Dunkle Strömung

Id

Vr= -1V

-

0.1

1

nA

Wellenlänge

λ

-

400

900

1100

nm

Aktiver Bereich

φ

-

-

0.5

-

mm

Bandbreite

fc

-

-

-

-

GHz

Kapazität

C

Vr= 0V

-

5

-

pf

Betriebsspannung

Vr

-

-

-

-5

V

Betriebstemperatur

Top

-

-30

-

+65

℃

 Lagertemperatur

Tst

-

-40

-

+85

℃


Paket
Original Kartonverpackung;
Als Anforderung der Kunden.

Versand
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Versand: Lufttransport (DHL / UPS / TNT / Fedex / EMS / CHINA POST);
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