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Diodo PIN de InGaAs de 0,5 mm A
Los fotodiodos PIN de InGaAs desarrollados por nuestra tecnología única de procesos de semiconductores compuestos internos ofrecen características tales como alta velocidad, alta sensibilidad y bajo ruido en un rango espectral de 0.5 μm a 5mm

Nombre del archivo: Formato: tamaño:

Realimentación
Caracteristicas
Alta responsabilidad y alta fiabilidad.
Baja capacitancia,
Baja corriente oscura,
Envase hermético de la ventana plana TO46.

Aplicaciones
Medidor de potencia óptica,
Rango láser,
Sensor óptico.

Parámetros electro-ópticos

Parámetros

Símbolo

Condiciones

Min.

Typ.

Max.

Unidad

Responsabilidad@1550

R

Vr= 0V

0.95

1.00

-

A/W

Corriente oscura

Id

Vr= -5V

-

1

10

nA

Longitud de onda

λ

-

800

1550

1700

nm

Área activa

φ

-

-

0.5

-

mm

Ancho de banda

fc

-

-

-

-

GHz

Capacidad

C

Vr= -5V

-

12

13

pf

Tensión funcionamiento

Vr

-

-

-

-20

V

Temperaturafuncionamiento

Top

-

-30

-

+65

℃

 Temperaturaalmacenamiento

Tst

-

-40

-

+85

℃


Paquete

Paquete de cartón original;
Como requisito de clientes.

Envío
5-10 días hábiles después de recibir el pago;
Envío: Transporte aéreo (DHL / UPS / TNT / Fedex / EMS / CHINA POST);
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Todos los productos tienen una garantía de 1 a 3 años (después de que el período de garantía de calidad comenzó a cobrar la tarifa de servicio de mantenimiento correspondiente)
 
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