参数	符号	测试条件	数值	单位
探测范围	λd	-	500 ~ 880	nm
光敏面	Φ	-	0.25	mm
响应度	Re	VR =0V,λ=532nm	0.1	mA/mW
		VR =0V,λ=808nm	0.55
暗电流	ID	VR=0V	0.1	pA
		VR=5V	1
响应时间	TR	RL =50Ω,VR =5V	0.4	ns
反向击穿电压	VBR	IR=100uA	50	V
结电容	Cj	f=1MHz, VR=0V	40	pF
		f=1MHz, VR=5V	3
饱和光功率	PS	VR=5V	5	mW
工作电压	VR	-	0-10	V
并联电阻	RSh	VR=10mV	100	GΩ
封装	TO46或光纤耦合

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